内存时序到底是什么意思?越大越好?还是越小越好呢?

  • 2017-08-31
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内存时序是内存性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,例如7-8-8-24。第四个参数 (tRAS) 经常被省略。

而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。

名称 符号 定义
CAS潜伏时间 CL 发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同,这不是最大值,而是内存控制器和内存之间必须达成的确切数字。
行地址到列地址延迟 TRCD 打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非活动行读取第一位内存的时间是TRCD + CL。
行预充电时间 TRP 发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP + TRCD + CL。
行活动时间 TRAS 行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间,并与TRCD重叠。在SDRAM模块中,它只是TRCD + CL。否则,约等于TRCD + 2×CL。

*文字内容来自Wikipedia

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